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实例讲解NAND Flash原理和使用

2017/9/26    来源:中国存储网    作者:佚名      
关键字:NAND Flash  Micron  
本文以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。

    上电自动读:在上电期间,PRE为VCC,3V VCC器件自动传输第一页到数据寄存器,而无需要发布一个命令或地址锁存序列。在VCC达到大约2.5V的时候,内部电压检测器触发上电自动读功能。在第一页数据copy到数据寄存器过程中,R/B#为低,当copy结束后,R/B#变高,在RE#脉冲的作用下第一页数据可以依次输出。
 
实例讲解NAND Flash原理和使用   
 
    6. 命令表
 
实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    7. PAGE READ,0x00-0x30
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    5个地址周期,确定了读出的起始地址,数据才RE#脉冲的作用下,从这个起始地址开始依次输出,直到这一页的结束。
 
    8. RANDOM DATA READ,0x05-0xE0
 
    随机数据读,是为了用户能够设定新的列地址,增加数据读出的灵活性,随即读模式在页读(0x00-0x30序列)后使能。这个命令的发布次数是不受限制的。但仅仅是当前页数据的读出。
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    9. PAGE READ CACHE MODE START,0x31;PAGE READ CACHE MODE START LAST,0x3F
 
    发布PAGE READ命令后,在R/B#变高后,在发送0x31命令,这时启动将数据寄存器的内容传给CACHE寄存器,然后就可以顺序从CACHE里读第一个PAGE READ命令获得数据,由于这是数据寄存器是没有用的,因此,芯片自动启动读下一页的PAGE READ命令,将下一页读到数据寄存器,可以看出这么做提高的读出的速度,除了第一个PAGE READ命令外,其他PAGE READ命令都是后台自动进行的。再最后一次使用0x3F命令,以便禁止芯片再次自动发布PAGE READ命令。
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    10.READ ID,0x90
 
    读出厂家的芯片标识。
 
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    11. READ STATUS,0x70
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    读出芯片的8bit状态。可以通过RE#脉冲,反复读。
 

责任编辑:李欢
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