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Tegile多层阵列采用了NVMe和SAS闪存介质

2017/8/1            
关键字:存储  Tegile  NVMe  
Tegile宣布推出一款主流的多层闪存阵列,并表示这是存储领域内的第一款多层闪存阵列。那么,这款闪存阵列能实现什么,又将如果实现呢?
    Tegile宣布推出一款主流的多层闪存阵列,并表示这是存储领域内的第一款多层闪存阵列。那么,这款闪存阵列能实现什么,又将如果实现呢?
 
    Tegile有一款双层的混合闪存和磁盘阵列,现在还拥有一款双层全闪存阵列。IntelliFlash HD是Tegile公司的第二代全闪存阵列,并具有横向扩展和纵向扩展的能力。目前,Tegile公司更新了IntelliFlash HD作为正常的高性能Tegile全闪存阵列,正如它的88TB的快速闪存容量的2U T4700,配合多TB的慢闪存容量的IntelliFlash HD阵列。
 
    NVMe和 SAS SSDs
 
    更新的IntelliFlash HD拥有一个快速访问的NVMe闪存层,还有一个独立的SAS SSD闪存层,这一层的访问速度稍微慢一点,而且价格稍微便宜一点。通过这种方式,所有的SAS配置都是可用的。
 
    以我们的理解,在混合的NVMe/SAS系统中,这层使用了HGST的3.84TB或者7.68TB的Ultrastar SS200,这款硬盘是拥有SAS链接的SSD,在更快的层,使用的是HGST的3.84TB或者7.68TB的Ultrastar SN200 NVMe SSDs 。
 
    它们的性能表现如何呢?
 
Tegile多层阵列采用了NVMe和SAS闪存介质
 
    与SAS闪存层相比,NVMe层读的速度是SAS闪存层的三倍,写速度是SAS闪存层的两倍,其平均延迟才是其五分之一。
 
    产品型号
 
    起初,Tegile是在2015年8月宣布推出IntelliFlash HD,是从独立的SanDisk那里OEM的InfiniFlash JBOF,这是Tegile的投资人。后来,西部数据收购了SanDisk。
 
    IntelliFlash HD能够为企业级数据中心提供超大规模性能水平及成本定位。其支持高性能闪存或者高密度(容量)闪存,客户亦可根据需要将二者加以结合。IntelliFlash HD还是第一款双层全闪存阵列,而各全闪存阵列供应商恐怕很难在单层环境当中复制这样的方案。
 
    IntelliFlash OS可以支持快照、克隆、精简配置、内联重复数据删除与压缩等功能。它利用SRM、VAAI、VASA以及VVOL实现了VMware方案集成,同时提供统一化数据块(FC、iSCSI)以及文件(NFS、CIFS/SMB3)访问。该产品能够将数据复制到Tegile公司的混合阵列当中,并借此实现灾难恢复能力。现在Tegile公司已经拥有了全闪存阵列产品线。
 
    更新的IntelliFlash HD系统有两个部件:2U的底盘控制器和1到2个4U具有扩展能力的框架。每个的容量都可以扩展到72个SAS SSD。底盘拥有了24个驱动器:全SAS SSD或者4个NVMe驱动器和20个SAS SSD。
 
    Tegile 表示,闪存介质是双端口的,且拥有加密支持。
 
    2016年11月,IntelliFLash HD产品线拥有4个T10KHD型号:4-50, 4-150, 8-100和 8-300,现在有了六个型号:
 
    · HD2040
 
    o -100 – 2U,拥有92TB 容量,采用3.84TB NVMe 和SAS驱动器
 
    o -400 – 6U,拥有369TB 容量,采用72 x 3.84TB SAS SSD扩展架
 
    o -700 – 10U,拥有654TB容量,采用 2 x (72 x 3.84TB SAS SSD) 扩展架
 
    · HD2080
 
    o -200 – 2U,拥有184TB容量,采用24 x 7.68 drives (4 x NV+Me + 20 x SAS)
 
    o -800 – 6U,拥有737TB容量,采用72 x 7.68TB SAS SSD 扩展架
 
    o -1400 – 10U,拥有1290TB容量,采用2 x (72 x 7.68TB SAS SSD) 扩展架
 
    在同样的物理外观下,HD2080的容量是HD2040的两倍。
 
    多层阵列采用的是IntelliFlash OS v3.7,其拥有的功能是:
 
    · IO优先级的应用
 
    · 大型虚拟化和容器部署的对象克隆
 
    · 通过数据访问虚拟化数据集在卷、文件系统和存储池中流动
 
    此前,OS还具有块(FC, iSCSI) 和文件 (NFS, CIFS/SMB3)访问方式,而且可以同时运行。这个OS能够运行在所有的Tegile阵列中:全闪存、混合闪存和磁盘阵列,以及IntelliFlash HD。
 
Tegile多层阵列采用了NVMe和SAS闪存介质
 
    Tegile表示,自家公司是唯一一家能够把多种存储介质放到同一个卷中的唯一存储厂商。
 
    混合闪存/磁盘阵列IntelliFlash还拥有了数据布局能力,可以把数据放置到合适的存储介质中。这就意味着,数据布局代码能够根据实际需求把数据放置到快速介质中,还是放置到慢速介质中。
 
    Tegile表示,IntelliFlash能够理解不同存储介质的特性,并且能够实现智能数据管理,让数据能够存储在最合适的介质里。
 
    工作负载
 
    Tegile表示,IntelliFlash HD是能够让数据中心同时具有性能和经济性的唯一平台,也是让企业用户能够实现全闪存数据中心的唯一途径,因为IntelliFlash HD在一套系统内实现了快速访问和高容量闪存。SQL数据库和数据分析能力都是企业用户需要的。
 
    Tegile声称,采用IntelliFlash HD,用户可以实现工作负载和所有的数据都存放到单一阵列中,以实现更好的性能和经济性的平衡。
 
    这取决于可用性能层闪存的数量和应用程序对扩展架构的容忍度。例如,一个20pb SQL数据库,将适合应用在较慢的SAS层单IntelliFlash HD里,但是却不能够应用在较小的NVMe层。
 
    谈到IntelliFlash HD的单闪存层,Tegile的市场VP Rob Commins表示,我最喜欢的案例是United Center,它们被应用到运动员统计数据库中,并连接到视频库。根据球员篮球和曲棍球比赛中制作视频。
 
    现在还没有双层IntelliFlash案例。
 
    我们认为Tegile的数据中心工作负载整合到IntelliFlash HD的应用,可以在较小型的数据中心商店中和相对简单的极化和分叉的工作负载中应用。在环境较为复杂的数据中心中所有的应用都部署到IntelliFlash系统中就有点夸张了。
 
    评论
 
    Tegile表示,5:1的数据重删比可以让IntelliFlash HD的有效容量达到每6U的数据容量是3PB,10U的数据容量是5PB。这就意味着,4U的数据容量是2PB,2U的数据容量是1PB。
 
    我们建议,随着QLC(Quad-Level Cell or 4bits/cell)闪存进入容量层,可以在4U的容量提升到4PB,10U的容量提升到8PB,等等。
 
    我们甚至可以期望Tegile的全闪存阵列可以达到NVMe驱动器的改造,并采用NVMe over Fabrics等。
 
    将有更多的存储阵列采用NVMe,Commins告诉我们,今年后半年,将在同样容量的情况下为全NVMe内配置SAS扩展架。
 
    这将取决于控制器CPU升级到Skylake技术来处理增加的IO负载。这将让更大的层-1应用数据集存放到NVMe闪存层,IntelliFlash HD-2080-1400的容量将从现在的31TB增加184TB。
 
    Pure Storage已经把其性能数据和架构数据全闪存阵列提供区分为了FlashArray和FlashBlade。Tegile现在要把它们与IntelliFlash HD (NVMe+SAS)组合起来,让其拥有IntelliFlash的性能和全SAS IntelliFlash HD的容量。
 
    一旦,全NVMe配置的IntelliFlash HD能够跟Pure的FlashBlade具有可比性,事情将会变得更加有趣。
 
责任编辑:李欢
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