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实例讲解NAND Flash原理和使用

2017/9/26    来源:中国存储网    作者:佚名      
关键字:NAND Flash  Micron  
本文以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。
    本文以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。
 
    1. 概述
 
    MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据、地址、指令。5个命令脚(CLE、ALE、CE#、WE#)实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#)、监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持)。注意, PRE功能不支持宽温芯片。
 
    MT29F2G08内部有2048个可擦除的块,每个块分为64个可编程的页,每个页包含2112字节(2048个字节作为数据存储区,64个备用字节一般作为错误管理使用)。
 
    每个2112个字节的页可以在300us内编程,每个块(64x2112=132K)可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。
 
    NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候,一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器,之后从数据寄存器按字节依次输出。写(编程)的时候,也是以页为基本单位的:起始地址装载到内部地址寄存器之后,数据被依次写入到内部数据寄存器,在页数据写入之后,阵列编程过程启动。
 
    为了增加编程的速度,芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式,数据先写入到CACHE寄存器,然后再写入到数据寄存器,一旦数据copy进数据寄存器后,编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后,CACHE寄存器变为空,可以继续装载下一个数据,这样内部的编程和数据的装载并行进行,提高了编程速度。
 
    内部数据搬移命令(INTERNAL DATA MOVE)也使用内部CAHCE寄存器,通常搬移数据需要很长时间,通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器,数据的搬移速度大大增加,且不需要使用外部内存。
 
    2. 功能框图
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    3. 管脚
 
 实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    4. 寻址
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    Block地址和页地址 = 实际的页地址,希望通过这个图,我们能理解块、页、块地址,页地址,列地址,备份空间,备份地址
 
    实例讲解NAND Flash原理和使用
 
    CAx:列地址;RAx=行地址
 
    5. 总线操作
 
 实例讲解NAND Flash原理和使用
 

责任编辑:李欢
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